Transistor MOS a barriera Schottky in silicio policristallino

Abstract

L’elettronica integrata è stata, fin dai suoi albori, caratterizzata da un’evoluzione tecnologica estremamente rapida che ha permesso la diffusione capillare dei dispositivi elettronici ad altissima scala di integrazione. Nell’ultimo decennio, tuttavia, molti sforzi tecnologici e di innovazione sono stati rivolti anche ad ambiti in cui non sono richiesti elevati livelli di integrazione ma dove, al contrario, è preferibile ottenere dispositivi polifunzionali, estremamente leggeri e con consumi particolarmente ridotti. È proprio in questa ottica di sviluppo di dispositivi “more than Moore” che si inserisce lo studio dei transistor a film sottile che possano essere realizzati con processi a bassa temperatura e compatibili con substrati flessibili. Nel corso di questa tesi sarà spiegata l’importanza dei transistor TFT e sarà messa in luce la necessità di individuare nuove tecnologie volte alla semplificazione del processo fabbricativo dei transistor ed al miglioramento delle loro prestazioni. La soluzione qui proposta consiste nell’utilizzare transistor le cui giunzioni di source e drain siano rimpiazzate da barriere metallo-semiconduttore realizzate direttamente sulla superficie del film di silicio che costituisce il body del transistor. Nel seguito del testo, si provvederà a fornire un’accurata descrizione del principio di funzionamento dei transistor a barriera Schottky e saranno approfonditamente analizzati gli aspetti tecnologici del loro processo fabbricativo. Si mostreranno, inoltre, i risultati della caratterizzazione di tre diverse tipologie di transistor mostrando la possibilità di ottenere dispositivi a canale n ed a canale p con prestazioni paragonabili a quelle attualmente riportate in letteratura per analoghi transistor a film sottile.